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据TheElec，三星电子最早将在今年3月停止在华城园区12号生产线制造2D NAND闪存，该企业的2D NAND闪存时代也将随之正式结束。三星电子早在2013年就实现了3D NAND (V-NAND) 的量产，不过三星还是保留了小规模的2D NAND产能以应对特殊利基市场的需求。华城12号生产线未来将服务于1c nm DRAM内存制造，负责后端的金属布线和表面处理工艺。（财联社）
根据通报，今年1月全国共查处形式主义、官僚主义问题10398起，批评教育和处理13748人。其中，查处“在履职尽责、服务经济社会发展和生态环境保护方面不担当、不作为、乱作为、假作为，严重影响高质量发展”方面问题最多，查处8806起，批评教育和处理11730人。